Транзистор N-MOSFET WAYON WMB175N10HG4, 100В, 29А, PDFN5060-8 (WMB175N10HG4-CYG) — набор 30 шт.

Транзистор WAYON WMB175N10HG4 — это полевой транзистор типа N-MOSFET с напряжением сток-исток 100 В и током 29 А. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе PDFN5060-8. Упаковка содержит 30 шт.

• Тип: N-MOSFET, обогащенный канал
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 29 А (импульсный 184 А)
• Сопротивление в открытом состоянии: 17,5 мОм
• Рассеиваемая мощность: 71,4 Вт
• Корпус: PDFN5060-8 (SMD)
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры и канал

Транзистор работает с напряжением сток-исток 100 В и постоянным током стока 29 А. Импульсный ток стока достигает 184 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 17,5 мОм. Тип транзистора — N-MOSFET с обогащенным каналом (enhancement mode). Поляризация — униполярная.

Тепловые характеристики и управление затвором

Максимальная рассеиваемая мощность равна 71,4 Вт. Время переключения (switching time) составляет 30 нс. Заряд затвора — 17 нКл, напряжение затвор-исток — ±20 В.

Корпус и комплектация

Компонент выполнен в корпусе PDFN5060-8 для поверхностного монтажа (SMD). В комплекте поставляется 30 шт.