
Транзистор WAYON WMB175DN10LG4, N-MOSFET x2, 100V, 39A, PDFN5060-8 (WMB175DN10LG4-CYG) — набор 30 шт.
2 690 ₴
- В наличии
- Код: TM021399
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор WAYON WMB175DN10LG4 — это комплект из 30 штук двойных N-MOSFET транзисторов в корпусе PDFN5060-8. Используется для коммутации тока до 39 А при напряжении 100 В.
- Комплект из 30 транзисторов
- Ток стока 39 А, импульсный 156 А
- Напряжение сток-исток 100 В
- Сопротивление в открытом состоянии 19,5 мОм
- Корпус PDFN5060-8 для SMD монтажа
- Рассеиваемая мощность 59,5 Вт
Мощность и ток
Транзисторы выдерживают постоянный ток стока 39 А и импульсный ток до 156 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 59,5 Вт.
Электрические параметры
Номинальное напряжение сток-исток равно 100 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 19,5 мОм. Общий заряд затвора — 22,5 нКл.
Монтаж и корпус
Компоненты выполнены в корпусе PDFN5060-8 для поверхностного монтажа (SMD). Конфигурация «N-MOSFET x2» означает, что в одном корпусе размещено два транзистора с каналом обогащения. Поляризация транзисторов — униполярная.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 59.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 39 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 19.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 2 690 ₴
