
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB129N10T2, 100В, 129А, PDFN5060-8 (WMB129N10T2-CYG) — набор 30 шт.
2 740 ₴
- В наличии
- Код: TM021398
Транзистор WAYON WMB129N10T2 — это N-MOSFET с каналом обогащения, предназначенный для коммутации высоких токов в силовых электронных схемах. Компонент рассчитан на напряжение 100 В и постоянный ток 129 А,
- Постоянный ток стока 129 А
- Пиковый ток в импульсе 402 А
- Низкое сопротивление в открытом состоянии 4,2 мОм
- Рассеиваемая мощность 127,5 Вт
- Корпус PDFN5060-8 с монтажом SMD
- Набор из 30 транзисторов
Высокая токовая нагрузка
Транзистор выдерживает постоянный ток стока 129 А. В импульсном режиме устройство способно пропускать пиковый ток до 402 А, обеспечивая надежную работу при резких скачках нагрузки.
Эффективное рассеивание тепла
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 127,5 Вт, что определяет тепловой режим компонента при работе. Низкое сопротивление в открытом состоянии 4,2 мОм минимизирует потери энергии и нагрев корпуса во время протекания тока.
Удобный монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе PDFN5060-8 с технологией монтажа SMD, что обеспечивает компактность печатных плат. Заряд затвора 91 нКл влияет на скорость переключения и требования к драйверу затвора. Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В определяет допустимые уровни управляющего сигнала для безопасной эксплуатации.
Комплектация
Товар поставляется набором из 30 штук.
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 127.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 129 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.2 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Производитель | WAYON |
- Цена: 2 740 ₴
