Транзистор N-MOSFET WAYON WMB119N12LG4, 120В, 65А, PDFN5060-8 (WMB119N12LG4-CYG) — набор 30 шт.
2 690 ₴
- В наличии
- Код: TM021397
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB119N12LG4, 120В, 65А, PDFN5060-8 (WMB119N12LG4-CYG) — набор 30 шт.В наличии
2 690 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB119N12LG4 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель рассчитана на напряжение 120 В и постоянный ток 65 А. Пакет содержит 30 единиц товара.
- Ток стока 65 А для мощных нагрузок
- Импульсный ток до 260 А для пиковых режимов
- Рассеиваемая мощность 96,1 Вт
- Низкое сопротивление в открытом состоянии 11,9 мОм
- Корпус PDFN5060-8 для монтажа SMD
- Комплект из 30 транзисторов
Параметры тока и напряжения
Компонент имеет постоянный ток стока 65 А. В импульсном режиме допустимый ток составляет 260 А. Напряжение сток-исток равно 120 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В.
Мощность и сопротивление
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 96,1 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 11,9 мОм. Заряд затвора составляет 30 нКл.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе PDFN5060-8 с технологией монтажа SMD. Тип транзистора — N-MOSFET, поляризация — униполярная, канал — обогащенный.
Транзистор WAYON WMB119N12LG4. Комплект: 30 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 96.1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 120 В |
| Максимально допустимый ток стока | 65 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 11.9 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 2 690 ₴