Транзистор N-MOSFET WAYON WMB099N10LGS, 100В, 44,3А, PDFN5060-8, комплект 30 шт.
2 150 ₴
- В наличии
- Код: TM079829
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB099N10LGS, 100В, 44,3А, PDFN5060-8, комплект 30 шт.В наличии
2 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор WAYON WMB099N10LGS — это N-MOSFET с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель рассчитана на напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 44,3 А, предназначена для коммутации в электронных схемах.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 44,3 А (импульсный до 280 А)
- Рассеиваемая мощность: 96,1 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 14 мОм
- Корпус: PDFN5060-8, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор выдерживает напряжение между стоком и истоком до 100 В и напряжение на затворе ±20 В. Ток стока составляет 44,3 А, а импульсный ток может достигать 280 А.
Мощность и сопротивление
Максимальная рассеиваемая мощность равна 96,1 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 14 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PDFN5060-8 с типом монтажа SMD (поверхностный монтаж). Заряд затвора составляет 57,5 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 96.1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 44.3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 14 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 2 150 ₴