Транзистор N-MOSFET WAYON WMB099N10HGS, 100В, 43А, PDFN5060-8 (30 шт.)
2 150 ₴
- В наличии
- Код: TM079828
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB099N10HGS, 100В, 43А, PDFN5060-8 (30 шт.)В наличии
2 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор WAYON WMB099N10HGS — это N-MOSFET с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 100 В и ток 43 А. Пакет содержит 30 единиц в корпусе PDFN5060-8 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 43 А (импульсный 272 А)
- Сопротивление в открытом состоянии: 9,9 мОм
- Рассеиваемая мощность: 96,1 Вт
- Корпус: PDFN5060-8 (SMD)
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает при напряжении сток-исток 100 В и выдерживает импульсный ток до 272 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 9,9 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 96,1 Вт, а заряд затвора — 59 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PDFN5060-8, предназначенном для технологии SMD. Монтаж выполняется методом поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 96.1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 43 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9.9 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 2 150 ₴