Транзистор N-MOSFET WAYON WMB049N12HG2, 120 В, 66 А, PDFN5060-8 (WMB049N12HG2-CYG) — набор 20 шт.
3 160 ₴
- В наличии
- Код: TM021392
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB049N12HG2, 120 В, 66 А, PDFN5060-8 (WMB049N12HG2-CYG) — набор 20 шт.В наличии
3 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB049N12HG2 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для коммутации токов до 66 А при напряжении 120 В. Корпус PDFN5060-8 обеспечивает компактное SMD-монтажное решение для силовых электронных схем.
- Ток стока 66 А для мощных силовых цепей
- Импульсный ток до 420 А для пусковых режимов
- Низкое сопротивление в открытом состоянии 5 мОм
- Рассеиваемая мощность 113,6 Вт
- Корпус PDFN5060-8 для SMD-монтажа
- Набор из 20 транзисторов
Высокая токовая нагрузка
Транзистор работает с постоянным током стока 66 А. Импульсный ток может достигать 420 А.
Эффективное рассеивание тепла
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 113,6 Вт. Низкое сопротивление в открытом состоянии 5 мОм минимизирует потери энергии и нагрев во время работы.
Удобный монтаж и комплектация
Компонент выполнен в корпусе PDFN5060-8 для поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется набором из 20 штук. Напряжение затвор-исток ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 113.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 120 В |
| Максимально допустимый ток стока | 66 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 3 160 ₴