Транзистор N-MOSFET WAYON WMB043N10LGS, 100 В, 120 А, 131.6 Вт, корпус PDFN5060-8, набор 20 шт.
1 860 ₴
- В наличии
- Код: TM079822
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB043N10LGS, 100 В, 120 А, 131.6 Вт, корпус PDFN5060-8, набор 20 шт.В наличии
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 транзисторов WAYON WMB043N10LGS — это N-канальные MOSFET-приборы с обогащением канала (enhancement mode) в корпусе PDFN5060-8 для поверхностного монтажа (SMD). Компоненты имеют максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 120 А.
- Максимальный ток стока 120 А
- Напряжение сток-исток 100 В
- Мощность рассеивания 131.6 Вт
- Корпус PDFN5060-8, монтаж SMD
- Набор из 20 транзисторов
- Импульсный ток до 480 А
Мощность и токовые характеристики
Транзисторы имеют постоянный ток стока до 120 А и импульсный ток до 480 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 131.6 Вт. Максимально допустимое напряжение сток-исток равно 100 В.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе PDFN5060-8 с типом монтажа SMD. В комплекте поставляется 20 транзисторов.
Электрические параметры
Заряд затвора составляет 111.2 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 131.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 1 860 ₴