Транзистор N-MOSFET WAYON WMB010N04LG4, 40 В, 268 А, PDFN5060-8, комплект 30 шт.
2 530 ₴
- В наличии
- Код: TM037486
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB010N04LG4, 40 В, 268 А, PDFN5060-8, комплект 30 шт.В наличии
2 530 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор WAYON WMB010N04LG4 — это N-канальный MOSFET с обогащенным каналом, рассчитанный на напряжение 40 В и постоянный ток 268 А. Прибор выполнен в корпусе PDFN5060-8 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется комплектом из 30 штук.
- Постоянный ток стока 268 А
- Импульсный ток стока 1072 А
- Напряжение сток-исток 40 В
- Сопротивление в состоянии проводности 1 мОм
- Рассеиваемая мощность 114 Вт
- Корпус PDFN5060-8 для SMD монтажа
- Комплект из 30 транзисторов
Высокая токовая нагрузка
Транзистор выдерживает постоянный ток стока 268 А и импульсный ток до 1072 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 114 Вт, что определяет тепловой режим работы прибора.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление канала в состоянии проводности равно 1 мОм.
Параметры управления и корпус
Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а суммарный заряд затвора составляет 118 нКл. Компонент имеет униполярную структуру и обогащенный канал. Монтаж выполняется методом SMD в корпусе PDFN5060-8.
Комплект из 30 транзисторов WAYON WMB010N04LG4.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 114 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 268 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 2 530 ₴