Транзистор N-MOSFET WAYON WM10N02G, 100 В, 200 мА, SOT323, набор 60 шт.

Транзистор WAYON WM10N02G — это N-MOSFET с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель рассчитана на напряжение сток-исток до 100 В и ток стока 200 мА, что делает её пригодной для коммутационных задач.

• Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 200 мА (импульсный 0,5 А)
• Корпус: SOT323 для SMD-монтажа
• Набор: 60 транзисторов

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 100 В и напряжение затвор-исток ±20 В. Ток стока составляет 200 мА, а импульсный ток может достигать 0,5 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 6 Ом, что обеспечивает эффективную коммутацию с минимальными потерями.

Монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе SOT323 для поверхностного монтажа (SMD). Такой формат подходит для автоматизированного производства и компактных печатных плат. Мощность рассеивания ограничена 0,2 Вт, поэтому важно обеспечить надлежащий теплоотвод.

Заряд затвора и полярность заряда затвора

Заряд затвора составляет 1,5 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора. Полярность заряда затвора является униполярной, что определяет специфику управления каналом.
Товар поставляется набором из 60 транзисторов. Это удобно для серийного производства или ремонта оборудования, где требуется замена нескольких компонентов одновременно.