Набор из 60 транзисторов WAYON WM03N01G типа N-MOSFET в корпусе SOT323. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и имеют защиту от электростатического разряда (ESD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Корпус: SOT323, монтаж SMD
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 100 мА (0,4 А в импульсе)
- Защита ESD
- Количество в наборе: 60 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 30 В, а постоянный ток стока — 100 мА. В импульсном режиме ток может достигать 0,4 А. Напряжение на затворе ограничено ±20 В, а сопротивление в открытом состоянии равно 2,5 Ом.
Монтаж и защита
Компоненты выполнены в компактном корпусе SOT323 для поверхностного монтажа (SMD). Версия ESD обеспечивает дополнительную защиту от электростатического разряда, что важно при работе с чувствительными схемами. Рассеиваемая мощность составляет 0,35 Вт, а заряд затвора — 540 пКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 0.35 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SOT323 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 2 100 ₴

