Транзистор NPN/PNP ONSEMI UMC3NT1G, комплементарная пара, SOT353, 150 шт.
2 690 ₴
- В наличии
- Код: TM021308
Транзистор NPN/PNP ONSEMI UMC3NT1G, комплементарная пара, SOT353, 150 шт.В наличии
2 690 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 150 биполярных транзисторов ONSEMI UMC3NT1G в корпусе SOT353. Это комплементарная пара NPN/PNP со встроенными резисторами, предназначенная для SMD-монтажа в электронных схемах.
- Комплект из 150 транзисторов
- Комплементарная пара NPN/PNP
- Корпус SOT353 (SC88A) для SMD-монтажа
- Встроенные резисторы 10/10 кОм
- Напряжение коллектор-эмиттер 50 В
- Ток коллектора 0,1 А
Структура и тип транзистора
Транзистор UMC3NT1G представляет собой комплементарную пару типов NPN и PNP. Компонент имеет структуру с общей базой и коллектором. Это биполярный транзистор типа BRT.
Встроенные резисторы
Компонент оснащен встроенными резисторами (база-эмиттер, эмиттер-база) номиналом 10/10 кОм. Наличие резисторов является характерной чертой типа BRT. Это определяет специфику использования компонента в схемах.
Электрические характеристики
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 50 В, а ток коллектора — 0,1 А. Мощность рассеивания равна 0,15 Вт. Коэффициент усиления тока находится в диапазоне 35...60.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.15 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SC88 А, SOT353 |
Информация для заказа
- Цена: 2 690 ₴