Транзистор N-MOSFET TSM900N06CW RPG от TAIWAN SEMICONDUCTOR в корпусе SOT223. Это униполярный компонент с каналом обогащения. Комплект содержит 60 единиц.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 7 А
- Мощность рассеивания: 4,17 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Комплектация: 60 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение сток-исток составляет 60 В, что определяет границы рабочей нагрузки. Допустимый ток стока — 7 А. Мощность рассеивания ограничена 4,17 Вт, поэтому при проектировании схемы важно учитывать тепловой баланс.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT223 с технологией монтажа SMD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 4.17 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 90 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Информация для заказа
- Цена: 1 870 ₴


