Транзистор N-MOSFET TSM850N06CX RFG, SOT23, 60V, 2.3A (60 шт.)
1 950 ₴
- В наличии
- Код: TM079457
Транзистор N-MOSFET TSM850N06CX RFG, SOT23, 60V, 2.3A (60 шт.)В наличии
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET TSM850N06CX RFG от Taiwan Semiconductor — это униполярный компонент в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 60 единиц.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 2,3 А
- Рассеиваемая мощность: 0,3 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 85 мОм
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 60 шт.
Тип и канал проводимости
Это униполярный транзистор типа N-MOSFET с каналом обогащения. Напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Ток стока равен 2,3 А при рассеиваемой мощности 0,3 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет 85 мОм.
Заряд затвора
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23. Монтаж выполняется методом SMD (поверхностный монтаж).
Корпус и монтаж
В наборе поставляется 60 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 0.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 85 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Информация для заказа
- Цена: 1 950 ₴