
Транзистор N-MOSFET TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM60NB380CP, 600В, 6А, DPAK (TSM60NB380CP-ROG) — набор 20 шт.
3 580 ₴
- В наличии
- Код: TM021218
Транзистор N-MOSFET TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM60NB380CP — это полупроводниковый прибор для силовых электронных схем. Модель рассчитана на высокое напряжение и ток.
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 6 А
- Мощность рассеивания: 83 Вт
- Корпус: DPAK (монтаж SMD)
- Тип: N-MOSFET, канал обогащения
- Комплект: 20 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор выдерживает напряжение сток-исток до 600 В. Максимальный ток стока составляет 6 А, что обеспечивает достаточную мощность для многих применений. Эти параметры важны для стабильной работы силовых ключей в сложных электронных модулях.
Эффективный отвод тепла
Мощность рассеивания составляет 83 Вт, что требует надлежащего теплового режима. Корпус DPAK с монтажом SMD обеспечивает компактное размещение на плате. Это критично для предотвращения перегрева при длительных нагрузках.
Технические характеристики и монтаж
Транзистор имеет канал обогащения и униполярную полярность, что определяет его рабочие режимы. Напряжение между затвором и истоком составляет ±30 В, а сопротивление в состоянии проводимости — 0,38 Ом. Заряд затвора равен 19,4 нКл, что влияет на скорость переключения. Монтаж выполняется методом SMD в корпусе DPAK, что обеспечивает компактность узла. Товар поставляется набором из 20 штук, что удобно для серийного производства или ремонта.
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 83 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
- Цена: 3 580 ₴
