Транзистор N-MOSFET TSM240N03CX RFG от Taiwan Semiconductor — это униполярный компонент с каналом обогащения. Комплект состоит из 40 единиц в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 4,1 А
- Мощность рассеивания: 1,56 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 24 мОм
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 40 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 4,1 А. Мощность рассеивания составляет 1,56 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 24 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23, что позволяет использовать его для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В упаковке содержится 40 транзисторов. Заряд затвора составляет 4,1 нКл, а максимальное напряжение затвор-исток — ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 1.56 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4.1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 24 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Информация для заказа
- Цена: 2 230 ₴

