Транзистор P-MOSFET Texas Instruments TPS1120D, SO8, ESD, набор 10 шт.

Транзистор P-MOSFET Texas Instruments TPS1120D — это двойной полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Компонент выполнен в корпусе SO8 и имеет защиту от электростатического разряда (ESD). Позиция поставляется набором из 10 штук.

• Двойной P-MOSFET с каналом обогащения
• Корпус SO8 для поверхностного монтажа (SMD)
• Защита от электростатического разряда (ESD)
• Ток стока -0,53 А, в импульсе до 7 А
• Напряжение сток-исток -15 В
• Сопротивление в открытом состоянии 0,18 Ом
• Набор из 10 транзисторов

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до -15 В и током стока -0,53 А. В импульсном режиме допустимый ток стока достигает 7 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,18 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±15 В, а заряд затвора — 5,45 нКл.

Корпус и монтаж

Компонент изготовлен в стандартном корпусе SO8, что позволяет использовать его для поверхностного монтажа (SMD). Компонент имеет версию ESD (защита от электростатического разряда). Транзистор является униполярным (P-MOSFET).