Транзистор P-MOSFET Texas Instruments TPS1100D, SO8, ESD, набор 20 шт.

Транзистор P-MOSFET Texas Instruments TPS1100D — это униполярный компонент для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SO8. Пакет содержит 20 единиц с защитой от электростатического разряда (ESD), что обеспечивает надежность при работе с чувствительными схемами.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащенный
• Максимальный ток стока: -0,72 А (постоянный), 7 А (импульсный)
• Напряжение сток-исток: -15 В
• Сопротивление в состоянии проводимости: 0,18 Ом
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Защита от электростатического разряда (ESD)
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток -15 В и током стока -0,72 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает 7 А, что позволяет использовать компонент в схемах с кратковременными пиковыми нагрузками. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,18 Ом, что минимизирует потери энергии и нагрев во время работы.

Защита и монтаж

Компонент имеет версию ESD, которая защищает входные цепи от повреждения статическим электричеством при монтаже и эксплуатации. Тип монтажа SMD и корпус SO8 обеспечивают компактное размещение на печатных платах. Напряжение затвор-исток ±15 В определяет диапазон управляющих сигналов для стабильной работы транзистора.

Комплектация

Упаковка содержит набор из 20 транзисторов TPS1100D, что удобно для серийного производства или ремонтных работ. Такое количество позволяет создать запас компонентов для нескольких устройств или замены вышедших из строя без дополнительных закупок.## Управляющие параметры и заряд затвораДля стабильной работы транзистора важно учитывать напряжение затвор-исток ±15 В, которое определяет допустимый диапазон управляющих сигналов. Заряд затвора составляет 5,45 нКл, что влияет на скорость переключения и энергопотребление схемы управления. Эти параметры обеспечивают точное открывание и закрывание канала при работе с импульсными нагрузками.## Тип канала и полярностьТранзистор является униполярным P-MOSFET с обогащенным каналом, что означает отсутствие тока стока при нулевом напряжении затвора. Такая конфигурация обеспечивает надежное выключенное состояние устройства, когда управляющий сигнал отсутствует. Это важно для схем защиты и коммутации, где требуется гарантированное отсутствие утечки тока в режиме ожидания.