Транзистор N-MOSFET Toshiba TK9J90E,S1E(S, 900V, 9A, 250W, TO3PN, набор 10 шт.)

Набор из 10 мощных N-MOSFET транзисторов Toshiba TK9J90E,S1E(S в корпусе TO3PN. Компоненты предназначены для высоковольтных схем с напряжением до 900 В и током до 9 А, что делает их оптимальным выбором для промышленной электроники и силовых преобразователей.

• Напряжение сток-исток: 900 В
• Ток стока: 9 А
• Рассеиваемая мощность: 250 Вт
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• Тип: N-MOSFET, канал обогащения
• Набор: 10 транзисторов

Высоковольтная стойкость

Транзисторы выдерживают напряжение сток-исток до 900 В, что позволяет использовать их в высоковольтных инверторах и источниках питания. Такая характеристика обеспечивает надежную работу оборудования в условиях повышенной нагрузки и защищает схему от пробоев.

Мощность и ток

Максимальный ток стока составляет 9 А, а рассеиваемая мощность — 250 Вт. Это позволяет транзисторам эффективно управлять значительными нагрузками без перегрева, что критически важно для стабильности работы силовых модулей.

Удобный монтаж и корпус

Компоненты выполнены в корпусе TO3PN с технологией монтажа THT (сквозные отверстия). Такое решение упрощает пайку и обеспечивает механическую прочность соединения, что особенно ценно для серийного производства и ремонта промышленного оборудования.

Экономия времени при закупке

Товар поставляется набором из 10 штук, что удобно для сборки партий устройств или создания запаса компонентов. Это позволяет оптимизировать процесс закупки и обеспечить бесперебойную работу производственных линий.## Электрические параметры управленияЗаряд входа составляет 46 нК, что влияет на скорость переключения транзистора. Напряжение между затвором и истоком ограничено ±30 В, что определяет допустимые режимы управления. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,3 Ом, что минимизирует потери энергии при прохождении тока.