Транзистор N-MOSFET Toshiba TK8P60W, 600В, 8А, DPAK (TK8P60W,RVQ) — набор 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Toshiba TK8P60W — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель рассчитана на напряжение 600 В и ток 8 А, выполнена в корпусе DPAK для поверхностного монтажа.

• Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 8 А
• Рассеиваемая мощность: 80 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Набор: 20 шт.

Электрические параметры и мощность

Транзистор выдерживает напряжение между стоком и истоком 600 В. Максимальный ток стока составляет 8 А, а рассеиваемая мощность — 80 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,5 Ом.

Корпус DPAK и монтаж SMD

Компонент изготовлен в корпусе DPAK. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж). Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В, а заряд затвора составляет 18,5 нКл. Полярность транзистора — униполярная.

Комплектация и символ производителя

Товар поставляется набором из 20 транзисторов. Символ производителя: TK8P60W,RVQ.