
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK160F10N1L, 100В, 160А, TO220SM (TK160F10N1L,LQ (TK160F10N1L,LQ — набор 10 шт.
3 450 ₴
- В наличии
- Код: TM021077
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK160F10N1L — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель имеет напряжение 100 В и ток 160 А.
- Ток стока 160 А для мощных силовых цепей
- Рассеиваемая мощность 375 Вт
- Низкое сопротивление в состоянии проводимости 2,4 мОм
- Напряжение сток-исток 100 В
- Корпус TO220SM для монтажа SMD
- Комплект из 10 транзисторов
Высокая мощность и ток
Компонент выдерживает постоянный ток стока 160 А и рассеивает мощность до 375 Вт.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в состоянии проводимости составляет 2,4 мОм.
Удобный монтаж SMD
Транзистор выполнен в корпусе TO220SM, который поддерживает поверхностный монтаж (SMD).
Стабильная работа при высоких напряжениях
Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 100 В, а напряжение на затворе — ±20 В. Транзистор является униполярным.
Комплект из 10 транзисторов. Заряд затвора составляет 121 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу затвора.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Максимальная мощность рассеивания | 375 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 160 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.4 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220SM |
Информация для заказа
- Цена: 3 450 ₴
