Транзистор N-MOSFET Toshiba TK10A60W5, 600 В, 9,7 А, SC67, комплект 10 шт (TK10A60W5,S5VX

Транзистор N-MOSFET Toshiba TK10A60W5 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы под напряжением до 600 В. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе SC67 с выводами для монтажа на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 9,7 А
• Рассеиваемая мощность: 30 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,45 Ом
• Корпус: SC67, монтаж THT
• Количество в комплекте: 10 шт.

Основные параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение между стоком и истоком 600 В и постоянный ток стока 9,7 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,45 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность равна 30 Вт.

Электрические характеристики затвора

Заряд затвора составляет 25 нКл. Допустимое напряжение между затвором и истоком равно ±30 В. Транзистор является униполярным с каналом обогащения (N-MOSFET). Заряд затвора составляет 25 нКл.