Транзистор N-MOSFET Toshiba TK100E10N1, 100В, 100А, TO220AB (набор 10 шт.) (TK100E10N1,S1X
2 090 ₴
- В наличии
- Код: TM037284
Транзистор N-MOSFET Toshiba TK100E10N1, 100В, 100А, TO220AB (набор 10 шт.) (TK100E10N1,S1XВ наличии
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов Toshiba TK100E10N1 типа N-MOSFET в корпусе TO220AB. Предназначены для монтажа на плату с выводами (THT). Ключевые параметры: напряжение 100 В, ток 100 А, рассеиваемая мощность 255 Вт.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 100 А
- Рассеиваемая мощность: 255 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 2,8 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические характеристики
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 100 В, а допустимый ток стока — 100 А. Сопротивление в состоянии проводимости равно 2,8 мОм.
Тепловые и управляющие параметры
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 255 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В. Заряд затвора равен 0,14 мкКл.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе TO220AB. Тип монтажа — THT (through-hole technology).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Максимальная мощность рассеивания | 255 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.8 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 090 ₴