Транзистор ONSEMI TIP111G, NPN, Дарлингтона, 80 В, 2 А, TO220AB, комплект 20 шт.
2 350 ₴
- В наличии
- Код: TM037266
Транзистор ONSEMI TIP111G, NPN, Дарлингтона, 80 В, 2 А, TO220AB, комплект 20 шт.В наличии
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI TIP111G — это биполярный транзистор типа NPN со схемой Дарлингтона. В комплекте поставляется 20 штук в корпусе TO220AB для монтажа на плату.
- Тип транзистора: NPN, биполярный, Дарлингтона
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 80 В
- Ток коллектора: 2 А
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 80 В и ток коллектора 2 А. Рассеиваемая мощность составляет 2 Вт. Эти характеристики определяют рабочий диапазон компонента в электрических схемах.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе TO220AB. Тип монтажа — THT (выводной монтаж), что предполагает установку в отверстия печатной платы.
Комплектация
В упаковке находится 20 транзисторов TIP111G.
Характеристики
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип | Корпус |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 80 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 2 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Биполярный |
Информация для заказа
- Цена: 2 350 ₴