Транзистор N-MOSFET Vishay SUP85N10-10-E3, 100В, 60А, TO220AB (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SUP85N10-10-E3 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, разработанный по технологии TrenchFET®. Комплект состоит из 5 элементов в корпусе TO220AB для монтажа на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Технология изготовления: TrenchFET®
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Максимальный ток стока: 60 А
• Мощность рассеивания: 250 Вт
• Сопротивление в состоянии проводности: 10,5 мОм
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 100 В и максимальный ток стока 60 А. Мощность рассеивания составляет 250 Вт. Сопротивление в состоянии проводности равно 10,5 мОм, а заряд затвора — 105 нКл.

Корпус и монтаж

Элементы выполнены в стандартном корпусе TO220AB. Монтаж осуществляется методом THT (through-hole technology), то есть выводы впаиваются непосредственно в отверстия печатной платы. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.