Транзистор N-MOSFET Vishay SUP10250E-GE3, 250В, 36,3А, TO220AB (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SUP10250E-GE3 — это силовой полупроводниковый прибор с технологией TrenchFET®, предназначенный для коммутации высоких токов. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе TO220AB, что обеспечивает удобство для серийного монтажа и ремонтных работ.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 250 В
• Ток стока: 36,3 А
• Мощность рассеивания: 125 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 32,5 мОм
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Комплектация: 10 шт. в наборе

Высокая мощность рассеивания

Транзистор имеет мощность рассеивания 125 Вт, что позволяет использовать его в силовых цепях без чрезмерного нагрева. Такой показатель важен для стабильной работы устройств под нагрузкой, где требуется эффективная отдача тепла через корпус TO220AB.

Эффективная коммутация тока

Прибор выдерживает ток стока до 36,3 А и напряжение сток-исток 250 В, что делает его пригодным для управления мощными нагрузками. Низкое сопротивление в открытом состоянии (32,5 мОм) минимизирует потери энергии и нагрев во время работы.

Удобный монтаж и комплектация

Транзисторы предназначены для выводного монтажа (THT), что упрощает процесс установки на печатные платы. В комплекте поставляется 10 шт., что является выгодным решением для мастеров и производителей, которым нужны партии компонентов для сборки или замены.## Управление затвором и зарядЗаряд затвора составляет 88 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу. Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В определяет безопасный режим управления каналом. Эти параметры важны для проектирования схем управления, где стабильность сигнала на затворе критична для надежности работы транзистора.## Униполярная структура и канал обогащенияТранзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения, что обеспечивает предсказуемое поведение при открытии и закрытии. Такая структура позволяет использовать прибор в схемах с прямым управлением, где требуется четкая коммутация тока. Обогащенный канал гарантирует, что транзистор закрыт при нулевом напряжении на затворе, что повышает безопасность эксплуатации устройства.