Транзистор N-MOSFET Vishay SUM90N10-8M2P-E3, 100 В, 90 А, D2PAK (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SUM90N10-8M2P-E3 — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе D2PAK (TO263) для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 5 единиц.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал с обогащением
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 90 А (постоянный), 240 А (импульсный)
• Сопротивление в состоянии проводности: 17 мОм
• Рассеиваемая мощность: 300 Вт
• Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
• Технология: TrenchFET®
• Количество в комплекте: 5 шт.

Технические характеристики

Прибор является униполярным N-канальным MOSFET с технологией TrenchFET®, что обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 100 В, а постоянный ток стока — 90 А. В импульсном режиме ток может достигать 240 А. Сопротивление в состоянии проводности равно 17 мОм.

Мощность и управление

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора — 300 Вт. Напряжение на затворе ограничено диапазоном ±20 В. Общий заряд затвора составляет 150 нКл.

Комплектация

В упаковке находится 5 транзисторов Vishay SUM90N10-8M2P-E3.