Транзистор N-MOSFET Vishay SUM70040E-GE3, 100V, 120A, 125W, D2PAK (набор 10 шт.)
3 520 ₴
- В наличии
- Код: TM021005
Транзистор N-MOSFET Vishay SUM70040E-GE3, 100V, 120A, 125W, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
3 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET Vishay SUM70040E-GE3 с технологией TrenchFET®.
- Ток стока 120 А для мощных нагрузок
- Напряжение сток-исток 100 В
- Рассеиваемая мощность 125 Вт
- Низкое сопротивление в открытом состоянии 4 мОм
- Корпус D2PAK (TO263) для SMD монтажа
- Набор из 10 транзисторов
Высокая мощность и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 120 А. Рассеиваемая мощность составляет 125 Вт.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 4 мОм.
Удобный монтаж SMD
Компонент выполнен в корпусе D2PAK (TO263) для поверхностного монтажа (SMD).
Технология TrenchFET®
Компонент изготовлен по технологии TrenchFET® от Vishay. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 76 нКл. Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode), а полярность — униполярной.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 3 520 ₴