Транзистор N-MOSFET Vishay SUD50N04-8M8P-4GE3, 40V, 14A, DPAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SUD50N04-8M8P-4GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Предназначен для работы в электронных схемах с напряжением до 40 В и током стока 14 А. Поставляется набором из 10 штук в корпусе DPAK (TO252) для монтажа на поверхность (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Технология изготовления: TrenchFET®
• Максимальное напряжение сток-исток: 40 В
• Ток стока: 14 А (импульсный до 100 А)
• Сопротивление в открытом состоянии: 8,8 мОм
• Корпус: DPAK (TO252), монтаж SMD
• Комплектация: набор из 10 транзисторов

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 40 В и постоянный ток стока 14 А. Импульсный ток может достигать 100 А. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а сопротивление в открытом состоянии — 8,8 мОм.

Тепловые характеристики и монтаж

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 30,8 Вт. Компонент имеет корпус DPAK (TO252) и предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Общий заряд затвора равен 56 нКл.