Транзистор P-MOSFET Vishay SUD09P10-195-GE3, TrenchFET, DPAK, 20 шт.
2 200 ₴
- В наличии
- Код: TM037231
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD09P10-195-GE3, TrenchFET, DPAK, 20 шт.В наличии
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD09P10-195-GE3 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе DPAK (TO252). Комплект поставки включает 20 шт.
- Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: -100 В
- Ток стока: -8,8 А (постоянный), -15 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 32,1 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,195 Ом
- Корпус: DPAK (TO252), монтаж SMD
- Комплект: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток -100 В и постоянный ток стока -8,8 А. В импульсном режиме ток стока может достигать -15 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 32,1 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Сопротивление и заряд затвора
Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,195 Ом. Общий заряд затвора составляет 34,8 нКл.
Технология и корпус
Транзистор изготовлен по технологии TrenchFET®. Корпус DPAK (TO252) предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 32.1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 195 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 200 ₴