Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW8N120K5, 1200 В, 3,5 А, TO247 (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW8N120K5 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы под напряжением до 1200 В. Комплект состоит из 3 штук в корпусе TO247 для монтажа на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 1200 В
• Ток стока: 3,5 А (постоянный), 12 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 130 Вт
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Комплектация: 3 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 3,5 А и импульсный ток до 12 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 130 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости — 1,65 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO247. Монтаж осуществляется выводами в отверстия печатной платы (THT). Заряд затвора составляет 13,7 нКл.