Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW65N80K5, 800В, 30А, TO247 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW65N80K5 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в высоковольтных схемах. Комплект состоит из двух элементов в корпусе TO247, что обеспечивает удобный монтаж на плату.

• Напряжение сток-исток: 800 В
• Постоянный ток стока: 30 А
• Импульсный ток стока: 184 А
• Рассеиваемая мощность: 446 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 70 мОм
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Комплектация: 2 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 30 А. Это позволяет использовать компонент в силовых преобразователях и импульсных блоках питания, где требуется стабильная работа под значительной нагрузкой.

Импульсная мощность

Прибор выдерживает импульсный ток стока до 184 А и имеет рассеиваемую мощность 446 Вт. Такие характеристики важны для схем с резкими коммутационными режимами, где транзистор должен выдерживать кратковременные пиковые нагрузки без повреждения.

Низкое сопротивление и быстрое переключение

Сопротивление в состоянии проводимости составляет 70 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Заряд затвора 92 нКл способствует эффективному управлению, обеспечивая быстрое открывание и закрывание канала.

Надежное управление затвором

Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±30 В, что определяет допустимый диапазон управляющих сигналов. Соблюдение этого параметра гарантирует стабильную работу транзистора и защищает его от повреждения изолятора затвора при эксплуатации.