Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW5NK100Z, 1000 В, 2,2 А, TO247 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW5NK100Z — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, выполненный в корпусе TO247 для монтажа в отверстия (THT). Комплект состоит из 5 единиц.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Напряжение сток-исток: 1000 В (1 кВ)
• Ток стока: 2,2 А
• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Сопротивление в открытом состоянии: 3,7 Ом
• Количество в комплекте: 5 шт.

Высокое напряжение и мощность

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1000 В (1 кВ) и ток стока 2,2 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 125 Вт.

Технология SuperMESH3™

Изделие изготовлено по технологии SuperMESH3™. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 3,7 Ом, что является ключевым параметром для расчета тепловыделения при работе транзистора.

Удобный монтаж и комплектация

Корпус TO247 и тип монтажа THT (through-hole technology). Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±30 В.