
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW45N60DM2AG, 600В, 21А, TO247 (3 шт.)
1 980 ₴
- В наличии
- Код: TM078981
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW45N60DM2AG — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO247 для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 3 единиц.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, обогащенный канал
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 21 А
- Рассеиваемая мощность: 250 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 85 мОм
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Технология: MDmesh™ DM2
- Количество в комплекте: 3 шт.
Технические характеристики
Прибор является униполярным полевым транзистором с каналом типа N и обогащенным каналом. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 600 В, а постоянный ток стока — 21 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 85 мОм.
Мощность и технология
Транзистор изготовлен по технологии MDmesh™ DM2. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 250 Вт. Допустимое напряжение на затворе ограничено ±25 В.
Комплектация
В состав товара входят 3 транзистора STW45N60DM2AG.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 21 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 85 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технология | MDmesh™ DM2 |
Информация для заказа
- Цена: 1 980 ₴
