Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW33N60DM2, 650 В, 15,5 А, TO247 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW33N60DM2 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO247, что удобно для массового монтажа или создания запаса компонентов.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
• Постоянный ток стока: 15,5 А
• Импульсный ток стока: 96 А
• Рассеиваемая мощность: 190 Вт
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Количество в комплекте: 5 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 15,5 А. Импульсный ток стока может достигать 96 А.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 190 Вт.

Удобный монтаж и комплектация

Компонент имеет тип монтажа THT (выводной монтаж). В комплекте поставляется 5 транзисторов.