Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18N60M2, 650В, 8А, TO247 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18N60M2 — это силовой полупроводниковый прибор с технологией MDmesh™ II Plus, предназначенный для высоковольтных применений. Комплект состоит из 10 штук в корпусе TO247, что удобно для серийного монтажа и ремонтных работ.

• Набор из 10 транзисторов для серийного монтажа
• Максимальное напряжение сток-исток 650 В
• Ток стока 8 А и рассеиваемая мощность 110 Вт
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 255 мОм
• Корпус TO247 для монтажа в отверстия (THT)
• Технология MDmesh™ II Plus и защита ESD

Мощность и ток

Максимальный ток стока составляет 8 А, а рассеиваемая мощность — 110 Вт, что гарантирует стабильную работу под нагрузкой. Напряжение затвор-исток ограничено ±25 В, что требует соблюдения параметров управляющего сигнала. Эти параметры определяют тепловой режим устройства.

Высоковольтные характеристики

Транзистор рассчитан на рабочее напряжение сток-исток до 650 В, что позволяет использовать его в импульсных источниках питания и инверторах. Высокое напряжение пробоя обеспечивает запас прочности в сетевых схемах. Это критично для безопасности и надежности высоковольтных узлов.

Технология MDmesh™ II Plus

Использование технологии MDmesh™ II Plus обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии — 255 мОм. Это снижает тепловые потери на компоненте и повышает общий КПД устройства. Транзистор является униполярным с каналом обогащения, что упрощает схемотехническое решение.

Монтаж и защита ESD