Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18N60DM2, 600В, 7,6А, TO247 (10 шт.)
2 980 ₴
- В наличии
- Код: TM020990
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18N60DM2, 600В, 7,6А, TO247 (10 шт.)В наличии
2 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18N60DM2 — это силовой полупроводниковый прибор технологии MDmesh™ DM2 в корпусе TO247. Комплект состоит из 10 единиц, предназначенных для монтажа на плату (THT).
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 7,6 А
- Рассеиваемая мощность: 90 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,26 Ом
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Технология: MDmesh™ DM2, версия ESD
- Комплектация: 10 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 7,6 А. Рассеиваемая мощность составляет 90 Вт.
Технология MDmesh™ DM2
Использование технологии MDmesh™ DM2 обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии 0,26 Ом. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.
Защита ESD и монтаж
Компонент имеет версию ESD. Тип монтажа THT (through-hole technology). Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±25 В.
Комплект из 10 транзисторов STW18N60DM2 в корпусе TO247.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 90 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 260 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технология | MDmesh™ DM2 |
Информация для заказа
- Цена: 2 980 ₴