
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW12NK80Z, 800 В, 6,6 А, TO247, ESD — набор 5 шт.
2 740 ₴
- В наличии
- Код: TM020988
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW12NK80Z — это униполярный компонент с напряжением 800 В и током 6,6 А. Модель в корпусе TO247 с технологией SuperMesh™ обеспечивает эффективное рассеивание тепла и стабильную работу под нагрузкой.
- Напряжение сток-исток 800 В
- Ток стока 6,6 А и мощность рассеивания 190 Вт
- Корпус TO247 с монтажом THT
- Встроенная защита от электростатического разряда (ESD)
- Технология SuperMesh™ с сопротивлением проводимости 0,65 Ом
- Набор из 5 транзисторов в комплекте
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 800 В и ток стока 6,6 А.
Эффективное рассеивание тепла
Максимальная мощность рассеивания составляет 190 Вт, что требует надлежащего охлаждения, но гарантирует стабильную работу при значительных нагрузках. Корпус TO247 с монтажом THT обеспечивает механическую прочность и удобство установки на печатные платы.
Защита от электростатического разряда
Версия ESD.
Технология SuperMesh™
Технология SuperMesh™. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,65 Ом.
Комплектация
Товар поставляется как набор из 5 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 190 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 650 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технология | SuperMesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 740 ₴
