Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW11NM80, 800В, 8А, TO247 (5 шт.)
2 320 ₴
- В наличии
- Код: TM037222
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW11NM80, 800В, 8А, TO247 (5 шт.)В наличии
2 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW11NM80 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении до 800 В и токе до 8 А. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO247, изготовленных по технологии MDmesh™.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
- Максимальный ток стока: 8 А
- Мощность рассеивания: 150 Вт
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Прибор имеет напряжение сток-исток 800 В и максимальный ток стока 8 А. Мощность рассеивания составляет 150 Вт, а сопротивление в открытом состоянии равно 0,35 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе TO247. Монтаж осуществляется выводами в отверстия (THT).
Комплектация
В комплекте поставки находится 5 транзисторов STW11NM80.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 350 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технология | MDmesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 320 ₴