Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STS4DNF60L, 60 В, 3 А, SO8 (набор 10 шт.)
2 280 ₴
- В наличии
- Код: TM078920
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STS4DNF60L, 60 В, 3 А, SO8 (набор 10 шт.)В наличии
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор STMicroelectronics STS4DNF60L — это двойной N-канальный MOSFET в корпусе SO8 для SMD-монтажа. Комплект состоит из 10 элементов.
- Двойной N-MOSFET транзистор
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 3 А
- Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 65 мОм
- Корпус SO8 для SMD-монтажа
- Комплект: 10 шт.
Электрические параметры
Устройство работает с напряжением сток-исток до 60 В и током стока 3 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 2,5 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 65 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Технология и монтаж
Использована технология STripFET™ II. Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SO8.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 65 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | STripFET™ II |
Информация для заказа
- Цена: 2 280 ₴