Транзистор P-MOSFET STMicroelectronics STR2P3LLH6, SOT23, -30В, -1,2А (40 шт.)

Транзистор P-MOSFET STMicroelectronics STR2P3LLH6 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 40 единиц.

• Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Напряжение сток-исток: -30 В
• Ток стока: -1,2 А (постоянный), -8 А (импульсный)
• Сопротивление в состоянии проводимости: 90 мОм
• Комплектация: 40 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток -30 В и постоянный ток стока -1,2 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает -8 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 90 мОм, а максимальная рассеиваемая мощность — 0,35 Вт.

Технология и монтаж

Компонент изготовлен по технологии STripFET™. Корпус SOT23 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 6 нКл.