Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STR2N2VH5, SOT23, 20V, 1,4A (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STR2N2VH5 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется набором из 20 штук.

• Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
• Напряжение сток-исток: 20 В
• Ток стока: 1,4 А (постоянный), 9,2 А (импульсный)
• Сопротивление в открытом состоянии: 40 мОм
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Комплектация: набор из 20 штук

Технические характеристики

Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 20 В и постоянный ток стока 1,4 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 9,2 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 40 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±8 В, а заряд затвора — 4,6 нКл.

Корпус и технология

Транзистор изготовлен по технологии STripFET™. Компактный корпус SOT23. Рассеиваемая мощность составляет 0,35 Вт.