Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP, 600 В, 0,5 А, комплект 20 шт.
2 360 ₴
- В наличии
- Код: TM078908
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP, 600 В, 0,5 А, комплект 20 шт.В наличии
2 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 20 штук в корпусе TO92 Formed для монтажа в отверстия (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 0,5 А (постоянный), 2 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 3 Вт
- Корпус: TO92 Formed, монтаж THT
- Комплектация: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение между стоком и истоком 600 В и постоянный ток стока 0,5 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 2 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 3 Вт. Напряжение на затворе ограничено ±30 В.
Монтаж и конструкция
Прибор выполнен в корпусе TO92 Formed. Предназначен для монтажа в отверстия печатной платы. Заряд затвора составляет 11 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4800 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
Информация для заказа
- Цена: 2 360 ₴