Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ1NK80ZR-AP, 800 В, 250 мА (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ1NK80ZR-AP — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы под напряжением до 800 В. Комплект состоит из 20 единиц в корпусе TO92 Formed с выводами для монтажа на печатную плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
• Ток стока: 250 мА (постоянный), 5 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 16 Ом
• Корпус: TO92 Formed, монтаж THT
• Количество в комплекте: 20 шт.

Высокое напряжение и ток

Компонент работает с напряжением сток-исток до 800 В. Постоянный ток стока составляет 250 мА, а в импульсном режиме он может достигать 5 А.

Мощность и сопротивление

Максимальная рассеиваемая мощность равна 2,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 16 Ом, что влияет на тепловой режим при прохождении тока. Заряд затвора — 7,7 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±30 В.