Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ1NK60ZR-AP, 600 В, 300 мА (30 шт.)
2 340 ₴
- В наличии
- Код: TM037200
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STQ1NK60ZR-AP, 600 В, 300 мА (30 шт.)В наличии
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 300 мА (постоянный), 0,189 А (импульсный)
- Корпус: TO92 Formed, монтаж THT
- Рассеиваемая мощность: 3 Вт
- Комплектация: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение между стоком и истоком 600 В и постоянный ток стока 300 мА. В импульсном режиме допустимый ток составляет 0,189 А.
Монтаж и комплектация
Элементы имеют корпус TO92 Formed, что обеспечивает выводы для установки на плату методом THT (сквозной монтаж). В упаковке находится 30 транзисторов.
Мощность и управление
Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 3 Вт. Напряжение на затворе относительно истока может изменяться в пределах ±30 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.3 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
Информация для заказа
- Цена: 2 340 ₴