Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8N120K5, 1200 В, 3,5 А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8N120K5 — это полупроводниковый прибор с технологией MDmesh™ K5, предназначенный для работы в высоковольтных схемах. Комплект состоит из 5 штук в корпусе TO220-3, что обеспечивает удобный монтаж на плату.

• Технология MDmesh™ K5 для эффективной работы
• Напряжение сток-исток 1200 В
• Ток стока 3,5 А (импульсный до 12 А)
• Сопротивление в открытом состоянии 2 Ом
• Корпус TO220-3 с монтажом THT
• Защита от электростатических разрядов (ESD)
• Комплект из 5 транзисторов

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1200 В и постоянный ток стока 3,5 А. Это позволяет использовать компонент в силовых преобразователях и импульсных блоках питания, где важна стабильность работы под высокой нагрузкой.

Технология MDmesh™ K5

Использование технологии MDmesh™ K5 обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии, которое составляет 2 Ом. Такая характеристика снижает потери энергии и нагрев компонента во время работы, повышая общую эффективность устройства.

Надежность и монтаж

Компонент имеет версию ESD, что повышает защиту от электростатических разрядов при обработке и монтаже. Тип монтажа THT (через отверстия) гарантирует прочное механическое крепление в корпусе TO220-3, который является стандартом для силовых транзисторов.

Рассеиваемая мощность и импульсный ток

Транзистор имеет рассеиваемую мощность 130 Вт, что определяет максимальную тепловую нагрузку при работе. Импульсный ток стока может достигать 12 А, что позволяет компоненту выдерживать кратковременные пиковые нагрузки без повреждения. Эта характеристика важна для схем с резкими скачками потребления энергии.