Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP80NF12, 120В, 60А, 300Вт, TO220-3 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP80NF12 — это униполярный компонент по технологии STripFET™ II в корпусе TO220-3 для монтажа на плату. Набор состоит из 10 элементов, предназначенных для работы с напряжением до 120 В и током до 60 А.

• Максимальная мощность рассеивания 300 Вт
• Напряжение сток-исток до 120 В
• Ток стока до 60 А
• Корпус TO220-3 для монтажа THT
• Технология STripFET™ II
• Набор из 10 транзисторов

Мощность и электрические параметры

Максимальная мощность рассеивания составляет 300 Вт. Максимально допустимое напряжение сток-исток равно 120 В, а максимально допустимый ток стока — 60 А. Эти параметры определяют рабочий диапазон компонента в электронных устройствах.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO220-3, который является стандартным для силовых транзисторов. Тип монтажа — THT (through-hole technology), то есть выводы проходят сквозь отверстия в печатной плате.

Технология и комплектация

Транзистор изготовлен по технологии STripFET™ II от производителя STMicroelectronics. В комплекте поставляется 10 одинаковых транзисторов.