Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6NK60ZFP, 600 В, 3,8 А, TO220FP (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6NK60ZFP — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе TO220FP с технологией SuperMesh™, что обеспечивает эффективное рассеивание тепла и защиту от электростатического разряда (ESD).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 3,8 А
• Рассеиваемая мощность: 110 Вт
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Технология: SuperMesh™, версия ESD
• Набор: 10 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 3,8 А. Это позволяет использовать компонент в высоковольтных схемах, где требуется надежная коммутация при значительных нагрузках.

Эффективное рассеивание мощности

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 110 Вт. Благодаря технологии SuperMesh™ и конструкции корпуса TO220FP компонент эффективно отводит тепло, что повышает стабильность работы устройства при длительных нагрузках.

Защита от ESD и удобный монтаж

Версия ESD обеспечивает встроенную защиту от электростатического разряда, что упрощает процесс монтажа и эксплуатации. Компонент предназначен для вывода на печатную плату (THT), что делает его удобным для пайки.

Низкое сопротивление в открытом состоянии и напряжение затвор-исток 30 В

Сопротивление в открытом состоянии составляет 1,2 Ом, что минимизирует потери энергии при открытом канале. Максимальное напряжение затвор-исток ±30 В позволяет использовать компонент в схемах с широким диапазоном управляющих сигналов. Такое сочетание параметров обеспечивает эффективную коммутацию и стабильную работу устройства.