Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6NK60Z, 600 В, 3,8 А, TO220-3, SuperMesh, ESD (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6NK60Z — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для электронных схем. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе TO220-3, что обеспечивает удобство для массового монтажа и серийного производства.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 3,8 А, мощность рассеивания: 110 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 1,2 Ом
• Корпус: TO220-3, монтаж: THT (выводной)
• Технология: SuperMesh™, версия с защитой ESD
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и ток стока 3,8 А. Мощность рассеивания составляет 110 Вт, что требует надлежащего отвода тепла при работе под нагрузкой.

Технология SuperMesh и сопротивление

Использование технологии SuperMesh™ способствует оптимизации параметров прибора. Сопротивление в состоянии проводимости равно 1,2 Ом, что влияет на эффективность коммутации и тепловые потери в цепи.

Защита ESD и монтаж

Версия ESD обеспечивает повышенную устойчивость к электростатическим разрядам, что снижает риск повреждения компонента во время обслуживания и монтажа. Прибор предназначен для выводного монтажа (THT) в корпусе TO220-3.

Комплектация и применение

В комплекте поставляется 10 транзисторов STP6NK60Z. Наличие 10 единиц в наборе удобно для прототипирования или небольших серий сборки электронных устройств.