Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP60NF10, 100В, 66А, 300Вт (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP60NF10 — это силовой полупроводниковый прибор с каналом типа n, выполненный по технологии STripFET™ II. Рассчитан на напряжение до 100 В и ток до 66 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом типа n
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Максимальный ток стока: 66 А
• Мощность рассеивания: 300 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 23 мОм
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Технология изготовления: STripFET™ II
• Количество в наборе: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение между стоком и истоком 100 В и постоянный ток стока 66 А. Мощность рассеивания составляет 300 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 23 мОм.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO220-3. Монтаж осуществляется методом вывода в отверстия печатной платы (THT). Напряжение на затворе ограничено ±20 В.

Комплектация

Товар поставляется набором из 10 транзисторов STP60NF10.